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                  ReRAM


                  ReRAM: 可变电阻式随机存取存储器
                  ReRAM是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。
                  其结构非常简单,两侧电极将金属氧化物包夹于中间,这简化了制造工艺,同时可实现低功耗和高速重写等卓越性能。
                  此存储器具备行业最低读取电流,非常适用于可穿戴设备和助听器。

                   

                  Part Number

                  Memory
                  Density

                  Power
                  Supply
                  Voltage

                  Read
                  current

                  Operating
                  Freq.

                  Operating
                  Temp.

                  Operating
                  Temp.

                  Package

                  MB85AS4MT

                  4Mbits

                  1.65~3.6V

                  10μA

                  5MHz

                  Unlimited

                  -40~85℃

                  SOP-8

                  MB85AS8MT

                  8Mbits

                  1.6~3.6V

                  5μA

                  10MHz

                  Unlimited

                  -40~85℃

                  SOP-8

                  WLCSP-11

                  样品申请

                   



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